六方β-SiN
可在1300-1400℃的條件下用單質(zhì)硅和氮?dú)庵苯舆M(jìn)行化合反應(yīng)得到氮化硅: 3Si(s)+2N(g)→SiN(s)
也可用二亞胺合成
SiCl(l)+6NH(g)→Si(NH)(s)+4NHCl(s)在0℃的條件下
3Si(NH)(s)→SiN(s)+N(g)+3H(g)在1000℃的條件下
或用碳熱還原反應(yīng)在1400-1450℃的氮?dú)鈿夥障潞铣桑?/span>
3SiO(s)+6C(s)+2N(g)→SiN(s)+6CO(g)
對單質(zhì)硅的粉末進(jìn)行滲氮處理的合成方法是在二十世紀(jì)50年代隨著對氮化硅的重新“發(fā)現(xiàn)”而開發(fā)出來的。也是第一種用于大量生產(chǎn)氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料純度低會使得生產(chǎn)出的氮化硅含有雜質(zhì)硅酸鹽和鐵。用二胺分解法合成的氮化硅是無定形態(tài)的,需要進(jìn)一步在1400-1500℃的氮?dú)庀伦鐾嘶鹛幚聿拍軐⒅D(zhuǎn)化為晶態(tài)粉末,二胺分解法在重要性方面是僅次于滲氮法的商品化生產(chǎn)氮化硅的方法。碳熱還原反應(yīng)是制造氮化硅的最簡單途徑也是工業(yè)上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。 電子級的氮化硅薄膜是通過化學(xué)氣相沉積或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)制造的: 3SiH(g)+4NH(g)→SiN(s)+12H(g)
3SiCl(g)+4NH(g)→SiN(s)+12HCl(g)
3SiClH(g)+4NH(g)→SiN(s)+6HCl(g)+6H(g)
如果要在半導(dǎo)體基材上沉積氮化硅,有兩種方法可供使用: 利用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進(jìn)行。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)在溫度相對較低的真空條件下進(jìn)行。
氮化硅的晶胞參數(shù)與單質(zhì)硅不同。因此根據(jù)沉積方法的不同,生成的氮化硅薄膜會有產(chǎn)生張力或應(yīng)力。特別是當(dāng)使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)時(shí),能通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù)來減少張力。 先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅,然后同時(shí)利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細(xì)碳粒子的硅膠進(jìn)行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細(xì)碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產(chǎn)生的。合成過程中涉及的反應(yīng)可能是: SiO(s)+C(s)→SiO(g)+CO(g)
3SiO(g)+2N(g)+3CO(g)→SiN(s)+3CO(g)或
3SiO(g)+2N(g)+3C(s)→SiN(s)+3CO(g)