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化學(xué)氣相沉積（制備材料的氣相生長方法）

次瀏覽 | 更新時間：2023-05-20

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化學(xué)氣相沉積

制備材料的氣相生長方法

化學(xué)氣相沉積是一種制備材料的氣相生長方法，它是把一種或幾種含有構(gòu)成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應(yīng)室，借助空間氣相化學(xué)反應(yīng)在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術(shù)。

基本信息

中文名	化學(xué)氣相沉積
外文名	Chemical vapor deposition
領(lǐng)域	化工
簡稱	CVD
性質(zhì)	化學(xué)反應(yīng)

?定義

化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition，簡稱CVD)是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進而制得固體材料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過程。與之相對的是物理氣相沉積（PVD）。

應(yīng)用

現(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)需要使用大量功能各異的無機新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地摻入某種雜質(zhì)形成的摻雜材料。但是，我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結(jié)晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。因此，無機新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學(xué)中的主要課題。

化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術(shù)?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。目前，化學(xué)氣相淀積已成為無機合成化學(xué)的一個新領(lǐng)域。

特點

1)在中溫或高溫下，通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學(xué)反應(yīng)而形成固體物質(zhì)沉積在基體上。

2)可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質(zhì)量較好)。

3)采用等離子和激光輔助技術(shù)可以顯著地促進化學(xué)反應(yīng)，使沉積可在較低的溫度下進行。

4)涂層的化學(xué)成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。

5)可以控制涂層的密度和涂層純度。

6)繞鍍件好。可在復(fù)雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂復(fù)各種復(fù)雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好，所以可涂復(fù)帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。

7) 沉積層通常具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)，不耐彎曲，但可通過各種技術(shù)對化學(xué)反應(yīng)進行氣相擾動，以改善其結(jié)構(gòu)。

8)可以通過各種反應(yīng)形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。

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