物理氣相沉積一種鍍膜技術(shù)物理氣相沉積，英文Physical Vapor Deposition，簡稱PVD。該技術(shù)指在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體或等離子體，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD技術(shù)主要分為三類，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜，應用較廣的是離子鍍。目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金

紅外光譜分析對物質(zhì)分子進行的分析、鑒定紅外光譜分析（infrared spectra analysis指的是利用紅外光譜對物質(zhì)分子進行的分析和鑒定。將一束不同波長的紅外射線照射到物質(zhì)的分子上，某些特定波長的紅外射線被吸收，形成這一分子的紅外吸收光譜。

電化學沉積電化學是研究化學現(xiàn)象與電現(xiàn)象之間的相互關(guān)系以及化學能與電能相互轉(zhuǎn)化規(guī)律的學科。電化學沉積是指在外電場作用下電流通過電解質(zhì)溶液中正負離子的遷移并在電極上發(fā)生得失電子的氧化還原反應而形成鍍層的技術(shù)。在陰極產(chǎn)生金屬離子的還原而獲得金屬鍍層，稱為電鍍。在陽極發(fā)生陽極金屬的氧化而形成合用的氧化膜，稱為金屬的電化學氧化，簡稱金屬的電氧化。電化學沉積與化學鍍的最大區(qū)別在于雖然都是在溶液中進行氧化還原反

俄歇電子能譜俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面科學和材料科學的分析技術(shù)。因此技術(shù)主要借由俄歇效應進行分析而命名之。AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。外層電子填充空穴向內(nèi)層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產(chǎn)生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子

電弧放電專業(yè)術(shù)語電弧放電是專業(yè)術(shù)語，拼音為diàn hú fàng diàn，兩個電極在一定電壓下由氣態(tài)帶電粒子，如電子或離子，維持導電的現(xiàn)象。激發(fā)試樣產(chǎn)生光譜。電弧放電主要發(fā)射原子譜線，是發(fā)射光譜分析常用的激發(fā)光源。

氮化硅重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料氮化硅，化學式為Si3N4，是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì)，本身具有潤滑性，并且耐磨損，為原子晶體；高溫時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性，人們常常利用它來制造軸承、氣輪機葉片、機械密封環(huán)、永久性模具等機械構(gòu)件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來制造發(fā)動機部件的

無定形碳碳的同素異形體中的一大類無定形碳又稱為過渡態(tài)碳，是碳的同素異形體中的一大類。無定形碳即指那些石墨化晶化程度很低，近似非晶形態(tài)（或無固定形狀和周期性的結(jié)構(gòu)規(guī)律）的碳材料，如炭黑等。在炭素材料學歷史上，曾與石墨、金剛石并立，被認為是碳元素三種存在狀態(tài)之一。

特征峰用于鑒定官能團存在的峰用于鑒定官能團存在的峰稱為特征吸收峰或特征峰（Characteristic Peak）。譜圖中的吸收峰對應于分子中某化學鍵或基團的振動形式，同一基團的振動頻率總是出現(xiàn)在一定區(qū)域。

離子注入材料表面改性技術(shù)離子注入是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個現(xiàn)象叫做濺射；而當離子束射到固體材料時，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現(xiàn)象叫做散射；另外有一種現(xiàn)象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中的這一現(xiàn)象叫作離子注入。

CBN立方氮化硼立方氮化硼極其堅硬，顯微硬度HV72000～98000Mpa，硬度低於鉆石。和鉆石相似，立方氮化硼是一種絕緣體但卻是一種極佳的導熱體。結(jié)構(gòu)類似於鉆石的氮化硼形態(tài)，也叫正方體氮化硼、c-BN、β-BN、或z-BN（以閃鋅礦（ZincBlende）晶體結(jié)構(gòu)命名），是被廣泛使用的工業(yè)鉆磨工具。

化學氣相沉積制備材料的氣相生長方法化學氣相沉積是一種制備材料的氣相生長方法，它是把一種或幾種含有構(gòu)成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應室，借助空間氣相化學反應在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術(shù)。

碳化硅（英文名：silicon carbide），分子式為SiC，是一種以共價鍵為主，碳、硅原子相互作用形成Sp雜化的非金屬化合物。其外觀顏色依據(jù)純度有黃色、綠色和藍黑色。依據(jù)其結(jié)構(gòu)特點，因此碳化硅具有耐磨性強、彈性模量高、硬度強、耐腐蝕等特性， 被廣泛應用于磨料、耐火材料、化工等多個領(lǐng)域。自然界發(fā)現(xiàn)的碳化硅含量較低，工業(yè)上所使用的碳化硅幾乎都是人工合成的。

王恩哥，1957年1月出生于遼寧省沈陽市，物理學家、中國科學院物理研究所所長、北京凝聚態(tài)物理國家實驗室（籌）主任、中國科學院副秘書長、中國科學院研究生院常務副院長、中國科學院數(shù)理學部院士、第三世界科學院院士、北京大學物理學院教授、中國科學院物理研究所研究員、北京科協(xié)副主席。

碳化硼最堅硬的三種材料之一碳化硼（boron carbide ），別名黑鉆石，分子式為B?C，通常為灰黑色微粉。是已知最堅硬的三種材料之一（其他兩種為金剛石、立方相氮化硼），用于坦克車的裝甲、避彈衣和很多工業(yè)應用品中。它的摩氏硬度為9.3。它在19世紀作為金屬硼化物研究的副產(chǎn)品被發(fā)現(xiàn)，直到1930年代才被科學地研究。碳化硼可由電爐中用碳還原三氧化二硼制得。碳化硼可以吸收大量的中子而不會形成任何放射

物理氣相沉積一種鍍膜技術(shù)物理氣相沉積，英文Physical Vapor Deposition，簡稱PVD。該技術(shù)指在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體或等離子體，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD技術(shù)主要分為三類，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜，應用較廣的是離子鍍。目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金

甲基藍一種芳香雜環(huán)化合物甲基藍又稱油脂藍、棉藍、溶劑藍8B、酸性藍93、品藍，是一種芳香雜環(huán)化合物。分子式C37H27N3Na2O9S3。被用作生物染色劑，用于動物組織學中原生動物活體、細菌、神經(jīng)細胞的染色。醫(yī)用消毒劑。

紅外光譜分析對物質(zhì)分子進行的分析、鑒定紅外光譜分析（infrared spectra analysis指的是利用紅外光譜對物質(zhì)分子進行的分析和鑒定。將一束不同波長的紅外射線照射到物質(zhì)的分子上，某些特定波長的紅外射線被吸收，形成這一分子的紅外吸收光譜。

淋球菌本詞條是多義詞，共2個義項淋病奈瑟球菌的俗稱淋球菌是淋病奈瑟球菌的俗稱，為嚴格的人體寄生菌，常存在于急性尿道炎與陰道炎的膿性分泌物的白細胞中，形態(tài)染色類似于腦膜炎球菌。淋球菌感染可引起泌尿生殖系統(tǒng)的化膿性感染，是常見的性傳播疾病之一，俗稱淋病。臨床表現(xiàn)以尿道炎、宮頸炎多見，典型癥狀是排尿困難、尿頻、尿急、尿痛、排出黏液或膿性分泌物等。也可侵犯眼睛、咽部、直腸和盆腔等處以及血行播散性感染引起關(guān)

俄歇電子能譜俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡稱AES），是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面科學和材料科學的分析技術(shù)。因此技術(shù)主要借由俄歇效應進行分析而命名之。AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。外層電子填充空穴向內(nèi)層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產(chǎn)生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子

尿路感染（英文名：urinary tract infection，UTI），簡稱為尿感，是一組各種病原微生物在尿路中生長并繁殖而引起的感染性疾病。臨床上可分為腎盂腎炎、 膀胱炎、無癥狀性菌尿、復雜性尿路感染等。病因主要是由于細菌感染引起，致病菌以革蘭氏陰性桿菌為主，其中最常見的為大腸埃希菌。病原體可包括細菌、真菌、支原體、衣原體、病毒等。尿路感染女性的發(fā)病率為男性的4-5倍， 多見于育齡期女性、老

氮化硅重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料氮化硅，化學式為Si3N4，是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì)，本身具有潤滑性，并且耐磨損，為原子晶體；高溫時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性，人們常常利用它來制造軸承、氣輪機葉片、機械密封環(huán)、永久性模具等機械構(gòu)件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來制造發(fā)動機部件的

特征峰用于鑒定官能團存在的峰用于鑒定官能團存在的峰稱為特征吸收峰或特征峰（Characteristic Peak）。譜圖中的吸收峰對應于分子中某化學鍵或基團的振動形式，同一基團的振動頻率總是出現(xiàn)在一定區(qū)域。

奇異變形桿菌一種致病菌變形桿菌廣泛存在于水、土壤腐敗的有機物以及人和動物的腸道中，為條件致病菌，多為繼發(fā)感染，如慢性中耳炎、創(chuàng)傷感染等，也可引起膀胱炎、嬰兒腹瀉、食物中毒等。變形桿菌屬包括普通變形桿菌、奇異變形桿菌、莫根變形桿菌、雷極變形桿菌和無恒變形桿菌。其中以普通變形桿菌和奇異變形桿菌與臨床關(guān)系較密切，奇異變形桿菌和普通變形桿菌是僅次于大腸埃希菌的泌尿系統(tǒng)感染的主要病原菌，腎結(jié)石和膀胱結(jié)石的形

CBN立方氮化硼立方氮化硼極其堅硬，顯微硬度HV72000～98000Mpa，硬度低於鉆石。和鉆石相似，立方氮化硼是一種絕緣體但卻是一種極佳的導熱體。結(jié)構(gòu)類似於鉆石的氮化硼形態(tài)，也叫正方體氮化硼、c-BN、β-BN、或z-BN（以閃鋅礦（ZincBlende）晶體結(jié)構(gòu)命名），是被廣泛使用的工業(yè)鉆磨工具。

陰溝腸桿菌腸道正常菌種之一腸桿菌目腸桿菌科腸桿菌屬的一種細菌陰溝腸桿菌(Enterobacter cloacae)是腸桿菌目腸桿菌科腸桿菌屬的一種細菌，廣泛存在于自然界中，在人和動物的糞便水、泥土、植物中均可檢出，是腸道正常菌種之一。