在不包含任何磁性成分的常規(guī)有機半導體器件中,發(fā)現(xiàn)其注入電流與發(fā)光在室溫和小磁場下就能表現(xiàn)出很大的磁響應,這種新奇有機磁效應是當前有機光電子學研究中的一個熱點。很多研究組對此新現(xiàn)象進行了深入的研究,并提出了一些理論模型,如電子-空穴對模型、雙極化子模型、激子模型、超精細相互作用模型、自旋混合與散射模型、三重態(tài) - 三重態(tài)激子湮滅理論(TripletTriplet Annihilation,TTA,即過程)等。研究組在基于tris(8-hydroxyquinoine) Alumi-num(Alq)的有機發(fā)光器件(結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(Copper phthalocyanine)/NPB(N,N′-Di(naphthalen-1-yl)-N,N′diphenylbenzidine)/Alq3/LiF/Al) 磁效應的研究中發(fā)現(xiàn):在低溫條件下,器件在小磁場時發(fā)光隨磁場的增大迅速增強,但在高磁場卻出現(xiàn)了下降現(xiàn)象。這主要是由于低溫條件下有利于TTA 過程的發(fā)生,從而使器件的發(fā)光增強,然而外加磁場會抑制TTA 過程,進而導致器件發(fā)光的磁效應表現(xiàn)出高場下降。從能量角度看,能夠產(chǎn)生TTA 過程則是因為在Alq材料中單重態(tài)激子的能量小于兩倍的三重態(tài)激子能量。然而,在一些有機芳香烴類材料中(例如: 紅熒烯(rubrene))單重態(tài)激子的能量與兩倍的三重態(tài)激子的能量相近,這一性質(zhì)導致還容易發(fā)生另外一種過程:即一個單重態(tài)激子裂變成兩個三重態(tài)激子的過程(STT過程);同時 STT 過程是一個吸熱過程,在室溫條件下作用比較明顯,隨溫度的降低其發(fā)生的程度會逐漸的降低;另外,從體系狀態(tài)角度STT可以看作是TTA 的逆過程;因此,可以推測STT過程對有機發(fā)光及其磁效應可能產(chǎn)生一些不同于TTA過程的影響。 室溫下紅熒烯器件與參考器件發(fā)光的磁效應
圖3 Rubrene 器件和參考器件在室溫(RT)條件
在有機發(fā)光器件中,空穴從陽極注入,電子從陰極注入,它們在器 件的復合發(fā)光區(qū)會形成兩種激發(fā)態(tài):分子間電子-空穴對(極化子對)和分子內(nèi)電子-空穴對(激子)。基于自旋統(tǒng)計原理,這些激發(fā)態(tài)又分為單重態(tài)和三重態(tài)。單重態(tài)激子能輻射退激產(chǎn)生瞬時發(fā)光,而三重態(tài)激子的輻射復合是自旋禁阻的,不能直接參與發(fā)光,但在一定條件下可以相互湮滅并產(chǎn)生單重態(tài)激子(即產(chǎn)生 TTA 過程),從而形成滯后的電致發(fā)光,即延遲發(fā)光。瞬時發(fā)光和延遲發(fā)光這兩部分均會受到外加磁場的影響。對于參考器件,在不加外磁場時,單重態(tài)極化子對和三重態(tài)極化子對之間可以通過超精細作用相互轉(zhuǎn)化。而在較小的外加磁場下,這種相互轉(zhuǎn)化會受到削弱,使單重態(tài)極化子對數(shù)目增多,增加的單重態(tài)極化子對可以轉(zhuǎn)換成單重態(tài)激子繼而輻射退激,使器件的瞬時發(fā)光得到增強,其結(jié)果就如圖3(b)中 B小于或等于50 mT 的快速增長部分所示。隨著磁場的進一步增大,磁場對極化子對之間的相互轉(zhuǎn)化抑制作用將達到飽和;另外,室溫下三重態(tài)激子的壽命較短,導致 TTA 過程發(fā)生的幾率非常低,此時器件中幾乎全是瞬時發(fā)光,超精細相互作用起主導作用;這兩種機制導致發(fā)光的磁效應在較大磁場范圍趨于飽和,如圖3(b)中 的緩慢增加并趨于飽和部分所示。以 Rubrene 作為發(fā)光層的 Rubrene 器件,其單重態(tài)激子的能量與兩倍的三重態(tài)激子的能量相近,所以外界溫度對兩者的轉(zhuǎn)化作用勢必會產(chǎn)生影響;同時由于 STT 過程是一個吸熱過程,外界溫度對其的發(fā)生可能也會產(chǎn)生影響。為了進一步研究 Rubrene 器件中 STT 過程的作用機理,我們對其進行了降溫處理,用來探究溫度對 Rubrene 器件中 STT 過程的影響及其在 MEL 中的表現(xiàn)。
溫度對紅熒烯器件發(fā)光磁效應的影響
圖4 不同溫度下 Rubrene 器件發(fā)光的磁效應曲線
測量了 Rubrene 器件在不同溫度條件下的MEL,圖4給出了 Rubrene 器 件在相同注入電流(50μA)和不同溫度下的 MEL 曲線。可以發(fā)現(xiàn),在溫度由室溫逐漸降低到 15 K 的過程中,器件曲線的低磁場部分變化不大,均是隨著磁場的增大有一個小幅度的增加;但其高磁場部分的線型則出現(xiàn)了“增加-飽和-減小”的變化過程,即呈現(xiàn)出“室溫下的逐漸增加”到“175 K 呈現(xiàn)飽和”再到“15 K 逐漸減小”的變化特點。由前述可知,室溫條件下 STT 作用使器件的磁致發(fā)光表現(xiàn)出正的磁效應,但因 STT 是一個吸熱過程,因此,隨著溫度的降低,產(chǎn)生 STT 的幾率會減小,導致 的值在高磁場區(qū)域逐漸降低(Merrifield 在另一種芳香烴材料-并四苯中也發(fā)現(xiàn)了類似的溫度效應)。另外,室溫條件下由于三重態(tài)激子的壽命較短,使得室溫下 TTA 作用并不明顯;但隨著溫度的降低,三重態(tài)激子的壽命逐漸增長,導致 TTA作用逐漸增強,而外加磁場會起到抑制 TTA 作用,使得器件 的值在高磁場區(qū)域也要減小。同時在 Rubrene 器件中,由于空穴阻擋層 BCP 阻擋了由陽極傳導過來的空穴,而電子的傳輸不受影響,這使得生成的三重態(tài)激子集中在 Rubrene 層中,從而進一步增強了 Rubrene 器件中的 TTA 作用。因此,隨著溫度從室溫逐漸降低到15 K的過程中,STT 作用的減弱和TTA 作用的增強,使得 Rubrene 器件高磁場部分的線型隨著溫度的降低表現(xiàn)出如圖4所示的:逐漸增加→飽和→逐漸減小的變化特點。綜上可知,溫度對 Rubrene 器件中的 STT 作用機制有較大的影響。隨著溫度的降低,STT 作用越來越弱。室溫300 K時,器件中STT作用和超精細作用占主導,使器件發(fā)光的磁效應在高磁場部分表現(xiàn)出逐漸增大且不飽和的現(xiàn)象。而在低溫15 K下,器件發(fā)光的磁效應則是由超精細相互作用和 TTA 作用共同作用的結(jié)果。